Air control unit

사용자가 원하는 온습도 조건을 유지시켜주는 장비이며 대형/소형 2개의 장비로 구성되어 있다.

Air shower

입실하는 인원의 인체나 물품에 부착한 먼지를 고속의 청정 공기로 제거하는 장비이며 탈의실과 photo room 전면에 위치하고 있다.

Hepa filter box(HFU)

항온 항습기에서 나오는 풍량을 Hepa Filter box를 통해 먼지와 같은 미세입자를 포집하여 청정도를 유지하는 장치이며 10개의 장치가 구성되어 있다.

Blower filter unit(BFU)

자체 순환하여 미세입자를 포집하여 체적이 크린룸의 시간당 환기횟수를 높여주기 위하여 설치하는 장비이며 8개의 장비로 구성되어 있다.

Photo room(yellow room)

반도체 미세형상을 만들기 위한 사진공정을 진행하는 곳으로 BFU 14개로 구성되어 있으며 온도는 22±3℃, 습도는 50±10%, 청정도는 100으로 유지된다.

Gas supply system

가스를 안전하게 보관하고 공급하기 위한 장치로 SiH4, NH3, Cl2는 캐비넷에 O₂, CF4, Ar가스는 랙에서 사용할 수 있도록 구성되어 있다.

Thermal & wet scrubber

반도체 공정 중 발생되는 독성가스를 TLV 값 이하로 처리할 수 있는 장비로 Thermal & wet type 2대와 wet type 1대의 장비로 구성되어 있다.

CDA system

대기중에 AIR를 압축 중에 먼지, 수분 등 오염물을 제거하여 7.0 kg/cm2의 일정한 압력과 유량을 공급하도록 하는 장비로 크린룸 외부의 기계실에 설치되어 있다.

PCW system

생산 및 공정 장비에서 발생하는 장비의 열을 회수하는 System으로 연속적으로 순환되도록 구성하며, 압력은 7.0kg/cm2를 유지 할 수 있도록 구성한다.

DI system

공정에서 사용하는 물을 정제/공급하는 장비로 전기저항이 18M ohm 이상의 초순수를 1.5m3/hr으로 크린룸에 공급한다.

GN2, PN2 supply system

GN2 공급장치는 기계실 에서부터 배관이 구성되며 액체질소를 기화를 거쳐 가스상태의 질소를 공급하는 장치이다.
PN2는 초고순도용 PURIFIER 설치 후 O2, 수분 등을 1PPM이하로 제거하여 공급한다.

Drain system

크린룸 내부에서 발생되는 폐수는 산 TANK(5.0TON)를 설치하여 자연 드레인시켜 위탁 처리 할 수 있는 SYSTEM으로 구성되어 있다.

ACID exhaust system

크린룸내 공정장비에서 유출되는 유독성 산가스를 DUCT를 통하여 BLOWER로 1차 스크러버를 통과 후 2차 스크러버에서 흡입하여 (NaOH+H2O)사용 물을 이용하여 샤워후 산가스를 TLV 값 이하로 처리하여 대기 방출 한는 장비로 옥상에 설치되어 있다.

Heat/gen(ORG) exhaust system

크린룸 내에서 유출되는 유기성 가스 및 열 배기를 DUCT를 통하여 BLOWER로 흡입하여 대기 중에 TLV값 이하로 대기 방출하는 장비로 옥상에 설치되어 있다. (ORG FILTER BOX 적용)

크린룸 모니터링 시스템

가스보관시설과 유틸리티 시스템을 실시간 모니터링하여, 데이터 베이스화 및 문제를 효율적으로 보완하여 시스템을 합리적으로 유지/관리하는 장비이다.

세정 및 텍스쳐링용 Wet station(Wet station for cleaning & texturing)

공정에 사용되는 웨이퍼를 세정하거나 화학용액을 위하여 표면을 식각하기 위한 장비

• (울텍)
• Wafer size6inch, 156mm*156mm 공용
• Bath10 bath
• Load capacity Max. 5 wafers
• Hot air dryer
• ControlPLC control

포토레지스터 제거용 Wet station(Wet station for PR removal)

PR 공정시 현상과 PR strip 등의 습식공정을 진행하기 위한 장비

• (울텍)
• Wafer size6inch
• Load capacity Max. 5 wafers
• ControlPLC control
• PR 전용 Remove solution 사용 (with hot plate)

산화 및 확산용 수평형 전기로(Horizontal type furnace system)

산화공정/확산공정을 진행하기 위한 2 tube stack형 전기로

• (울텍)
• Wafer size6inch, 156mm*156mm
• Heater temp.1,100℃
• POCl3 source delivery system
• ControlPLC control

마스크 얼라이너(Mask aligner)

금속배선과 같은 미세 형상을 형성시키기 위하여 표면에 마스크 형상을 전사시키기 위한 장비

• MA-1100 (OFT)
• Resolution
  • Soft contact : 3μm < Thin PR @ Full size Si Wafer>
  • 20um Proximity : 5μm
• Max. beam size6.25inch(평행광)
• Output beam intensity25mW/cm2 (365nm)
• Beam Uniformity≤±3%

진공 열증착기(Thermal evaporator)

금속박막을 증착시키기 위한 진공증착 장비

• (울텍)
• 최대압력5×10-7 Torr
• 누설속도1×10-9 TorrL/sec
• 두께균일도≤±5%

건조로(Dry oven)

코팅된 박막에 혼합되어 있는 솔벤트를 가열하여 휘발시키기 위한 장비

• ATT-60 (아론)
• 온도영역RT~250℃ to 500℃
• 온도정확도± 1℃

플라즈마 건식 식각 및 증착장치(RIE & PECVD Dual system)

플라즈마를 이용하여 산화막을 건식식각하거나 반사방지막인 SiNx 박막을 플라즈마 화학기상증착을 동시에 수행할 수 있는 장비

• (울텍)
• Systemit consists of dual process chamber module
  • RIE Module
    • Single block aluminum chamber
    • Wafer Chuck: Water cooled 6 inch chuck
    • Pressure Control: Throttle valve & Baratron gauge
    • Process Gases: O2, CF4, Cl2, Ar MFC with isolation valve
  • PECVD Module
    • Single block aluminum chamber
    • Wafer Chuck: Resistive heated 200mm chuck (up to 400℃)
    • Pressure Control: Throttle valve & Baratron gauge
    • Process Gases: SiH4, NH3, N2 MFC with isolation valve

스핀코터(Spin coater)

광학적 감광제를 표면에 균일하게 도포하기 위한 장비로써 6“ wafer에 대응하도록 설계

• JSP6D (제이테크)
• Wafer suitability Loading size6“ wafer
• Spin cup Size 300mm diameter
• Hold time0 ~ 999sec

스크린 프린터(Screen printer)

태양전지의 전면전극과 후면전극을 스크린인쇄법으로 형성하기 위한 장비

• AMX-1345T (오토맥스)
• 전면스크린 6“ wafer
• 후면스크린 250mesh, 35㎛ SUS wire
• Ag paste 두께 ≥20㎛
• Al paste 두께≥30㎛
• 프린팅 반복성정확도 ±10㎛
• 압력 0.5~0.6Mpa
• 제판크기 450mm x 450mm

소성로 (firing furnace)

태양전지 전면/후면전극형성 후 고온소성을 통한 금속-반도체접합을 위한 수직형 열처리 전기로

• Ramp up rate≥100℃/sec( R.T~800℃)
• 웨이퍼크기156mm*156mm 이상
• 최대 Loading 수5 wafers
• 최대온도1,000℃

진공 웨이퍼 홀더(Vacuum tweezer)

진공을 이용하여 웨이퍼를 카셋트에 장착하거나 이동시키는데 사용되는 장비

• FWTTA1-E (케이프로스)
• Freedom Wand Set
• Tabletop Auto Shut-off
• 진공도22"∼ 24" Hg
• Class 1 Compatible

태양전지 효율측정시스템(Solar cell Efficiency Measurement system)

제작된 태양전지의 효율을 측정하기 위한 측정장비

• K3000 (맥사이언스)
• 태양광 조사면적160mm×160mm
• Spectral 합치도0.75~1.25 (KS C IEC 규격 A급)
• 방사 조도 시간 변동율≤±2% (KS C IEC 규격 A급)
• 방사 조도의 균일성모든 조사 면적에 대해 ≤±2% (KS C IEC 규격 A급)

표면저항측정기(Sheet resistance measurement system)

반도체 혹은 금속이 코팅된 웨이퍼의 표면 비저항 및 면저항을 측정하는 장비

• CMT-SR1000N (AIT)
• 측정범위1 mohm/sq - 2 Mohm/sq
• 측정단위ohm, ohm/sq, ohm.cm 두께입력)
• 시료크기Max 8" or 140X140mm
• Tester 일체형, Compact type

홀측정장치(Hall measurement)

홀 효과 측정 시스템은 반도체 디바이스의 전기적인 특성인 캐리어 농도(carrier density), 이동도(mobility), 저항율(resistivity), 홀계수(Hall Coefficient)등을 측정하는 장비

• HEM-2000 (에코피아)
• Resistivity(Ωㆍ㎝)10-4~107
• Concentration(1/㎤)107~1021
• Mobility(㎠/Voltㆍsec)1~107

엘립소메터(Ellipsometer)

반도체박막의 두께를 측정하는 장치로 사용된다.

• UVISEL (Jovin-Yvon)

전극탐침시스템(Probe station)

미세한 전극을 금속탐침을 이용하여 접촉후 전기적특성을 평가하기위한 장치

• MS-TECH

전류-전압측정장치(Current-voltage measurement)

다이오드, 트랜지스터의 전류-전압특성을 측정하기 위한 장치

• HP-4156c (HP)

태양전지 발전시스템 실습장치(Solar cell module system)

신재생에너지(태양전지)의 기본원리 및 회로구성을 통한 이론의 검증 및 시뮬레이션이 가능한 통합형 실습장비

• CPE-EN4500 (청파이엠티)
• 태양광 발전의 기초원리 실험
• 태양광 발전의 원리와 계통실험
• 태양광 모듈의 전기적인 특성
• 태양전지 직병렬 결선에 따른 태양광 발전의 I-V 특성 및 부하실험
• 충전 컨트롤러를 통한 축전지 충/방전 실험